La Universidad de Illinois se ha encontrado con que el calor generado por estos transistores en ciertas partes por la resistencia eléctrica es menor al efecto de refrigeración termoeléctrica. Esto significa que estos transistores se calentarían poco o nada con respecto a los de silicio, dando lugar a la posibilidad de chips muy densos organizados en las 3 dimensiones del espacio. El aumento en eficiencia energética podría ser doble al convertirse el calor de nuevo en electricidad. Un paper ya ha sido publicado en Nature Nanoscience.
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