[c&p] La clave para utilizar silicio en dispositivos electrónicos tales como transistores y células solares se encuentra en el dopaje, o la adición de pequeñas cantidades de otros elementos, para crear un exceso de electrones (tipo n) o de huecos cargados positivamente (tipo p) que modifiquen la conductividad del material. El silicio de tipo p y de tipo n se colocan el uno contra el otro para formar uniones p-n, las unidades estructurales básicas de dispositivos electrónicos tales como células solares, diodos emisores de luz y transistores.
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