Científicos de la Universidad de Illinois en Urbana-Champaign han vuelto a romper su propio registro de velocidad para el transistor más rápido del mundo. Con una frecuencia de 845 gigahercios, su último dispositivo es aproximadamente 300 gigahercios más rápido que otros transistores construidos por otros grupos de investigación, y se acerca al objetivo de un dispositivo de terahercio. Noticia en inglés.
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