[c&p] Un equipo de investigadores de ingeniería de la Universidad de Michigan (Estados Unidos) ha sido capaz de observar, en tiempo real, el proceso a nanoescala de un bit de memoria al cambiar entre los estados 0 y 1. Según han señalado los expertos, este trabajo permitirá entender cómo funcionan estos sistemas, con el fin de desarrollar mejores dispositivos de memoria, más rápidos, más pequeños y más fiables". El artículo, que ha sido publicado en 'Science', se titula "Dinámicas de dominio durante el cambio ferroeléctrico"
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