Un equipo de la Universidad de Purdue (en Indiana, Estados Unidos) ha propuesto un esquema distinto para las memorias del futuro, las memorias FeTRAM, las cuales serían mucho más rápidas y consumirían mucho menos. Esta nueva tecnología combinaría nanocables de Silicio con un polímero ferroeléctrico, un material que cambia la polaridad de los campos electromagnéticos cuando éstos se aplican, formándose así un nuevo tipo de transistor ferroeléctrico.
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