El nuevo dispositivo de alta densidad tiene el potencial de permitir hasta 1 Terabit — 128 Gigabytes — distribuidos en 8 chips empaquetados en un dispositivo del tamaño de la yema de un dedo, con hasta el doble de rendimiento que soluciones actuales de 64GB. La tecnología de 20nm utilizada para producir estas memorias desarrollada en conjunto por esta colaboración entre Intel y Micron llamada IM Flash Technologies, utiliza una nueva estructura de celdas — planar cell — que permite un escalado más agresivo que otras arquitecturas.
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