Quien piense que un Premio Nobel de Física se relaja tras recibir la gloria del premio no conoce a los padres del grafeno, Geim y Novoselov; no paran. Publican hoy en Science la fabricación del primer transistor túnel-FET (TFET o Tunnel Field-Effect Transistor en inglés) fabricado mediante una heteroestructura (dispositivo formado por varias capas delgadas de materiales alternados) que incorpora dos capas de grafeno.
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