Científicos de la Universidades de Cornell, Penn State y Northwestern dirigidos por Darrell Schlom han usado titanato de estroncio para añadir capacidad ferroeléctrica al silicio usado en los transistores de los PCs, una hazaña que los científicos trataron de alcanzar por más de medio siglo. Los materiales ferroeléctricos, usados actualmente en "tarjetas inteligentes", pueden eliminar el tiempo de arranque y reinicio de los SO, proporcionando un "encendido instantáneo", así como prevenir pérdidas de datos por los cortes de energía.
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