Hay una broma en el mundo de los semiconductores que dice que el número de personas que predicen la muerte de la ley de Moore se duplica cada dos años. A medida que los componentes se encogen, los electrones comienzan a escaparse de las conexiones, causando interferencia y falta de fiabilidad. La respuesta al problema de fuga de electrones es un mejor aislamiento entre los componentes del chip. Un grupo de investigadores cree que tienen el aislante requerido. Se llama Nitruro de boro Amorfo de película delgada (a-bn)

Investigadores del Instituto Avanzado de Tecnología de Samsung (SAIT) han revelado el descubrimiento de un nuevo material para la fabricación de memoria NAND y DRAM llamado Nitruro de Boro Amorfo (a-BN) en colaboración con el Instituto Nacional de Ciencia y Tecnología de Ulsan (UNIST) y la Universidad de Cambridge.

Con el objetivo de acelerar el mercado estancado de los sistemas de energía inalámbrica, esta semana el fabricante de chips Efficient Power Conversion (EPC) anunció el lanzamiento de una nueva línea de semiconductores hechos de nitruro de galio, un material que es 10 veces más rápido que el silicio y que muchos creen representa el futuro de la industria de los semiconductores. Estos nuevos chips están diseñados específicamente para sistemas de energía inalámbrica como los que fabrica WiTricity.

En 2008 se descubrió que el grafeno es impermeable al helio, pero no al hidrógeno. La permeabilidad al hidrógeno del grafeno y de capas monoatómicas de nitruro de boro hexagonal (hBN) no es buena, es excelente, como acaba de publicar en Nature...