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Samsung presenta un nuevo material para la creación de memoria, el Nitruro de Boro Amorfo (a-BN)

Investigadores del Instituto Avanzado de Tecnología de Samsung (SAIT) han revelado el descubrimiento de un nuevo material para la fabricación de memoria NAND y DRAM llamado Nitruro de Boro Amorfo (a-BN) en colaboración con el Instituto Nacional de Ciencia y Tecnología de Ulsan (UNIST) y la Universidad de Cambridge.

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