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Samsung creará SSD con memorias NAND Flash de 1.000 capas

Samsung creará SSD con memorias NAND Flash de 1.000 capas

Que los coreanos van a dominar las próximas dos décadas en NAND Flash y DRAM ni cotiza en estos momentos. Son los reyes, controlan prácticamente todo el mercado con permiso de Micron y EE.UU. y si nada falla, en el VLSI 2024 presentarán uno de los mayores avances en este campo. Y es que Samsung podrá crear un SSD con NAND Flash de 1.000 capas para acercarse al sueño del Petabyte de capacidad gracias a lo que denominan como ferroeléctricos de Hafnia.
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Un cristal artificial torsionado abre nuevas posibilidades para almacenar información

Un cristal artificial torsionado abre nuevas posibilidades para almacenar información

Una investigación internacional liderada por la Universidad Complutense de Madrid logró ensamblar capas monocristalinas de óxidos cerámicos de unos pocos átomos de espesor, rotadas un ángulo arbitrario, enlazadas formando un nuevo cristal artificial que no existe en la naturaleza. En la interfase de unión entre capas ferroeléctricas el titanato de bario (BaTiO3) aparecen propiedades emergentes que podrían producir una revolución en la ciencia y tecnología de materiales.

Paper (abierto): www.nature.com/articles/s41586-023-06978-6
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La disposición de los cristales permite multiplicar por 1.000 la potencia de las células solares ferroeléctricas [ENG]

Investigadores alemanes desarrollaron una disposición reticular de tres capas diferentes de cristales ferroeléctricos que creó un potente efecto fotovoltaico. La combinación de capas ultrafinas de distintos materiales puede multiplicar por mil el efecto fotovoltaico de las células solares, según investigadores de la Universidad Martin Luther de Halle-Wittenberg, en Alemania. Sus hallazgos, describen una disposición reticular de tres capas diferentes de cristales ferroeléctricos que crean un potente efecto de producción de energía solar.
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Investigadores desarrollan un cristal flexible, allanando el camino para una electrónica flexible más eficiente [ENG]

Los científicos descubrieron que cuando se aplica un campo eléctrico, el nuevo material híbrido podría tensarse hasta en un 22%, la tensión más alta reportada en un material piezoeléctrico hasta ahora. Esto supera con creces a los materiales piezoeléctricos convencionales que solo se deforman hasta un 0,5% cuando pasa una corriente a través de ellos. El nuevo material también es más eficiente energéticamente que otros materiales piezoeléctricos y electroestrictivos. Los materiales piezoeléctricos se utilizan comúnmente en guitarras, altavoces..
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Vidrio 'alejandrino' confirmado por isótopos de hafnio (ENG)

La industria romana del vidrio experimentó una expansión masiva. En su apogeo, suministró no solo artículos de mesa para los hogares de todo el Imperio, sino que también proporcionó a los principales edificios públicos muchas toneladas de vidrio para ventanas y mosaicos. Los romanos produjeron grandes cantidades de un vidrio caro y muy valioso, descrito por Plinio como " incoloro o transparente, lo más parecido posible al cristal de roca".
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Descubren que las perovskitas de haluro de plomo no son ferroeléctricas

Científicos del Instituto de Ciencias de Materiales de Barcelona (ICMAB-CESIC) han descubierto que las perovskitas de haluro de plomo, un material que auguran muy prometedor para hacer celdas solares, no son ferroeléctricas, como se creía hasta ahora. Los investigadores del ICMAB-CSIC y del Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie (Alemania) han hecho esta demostración con una nueva técnica de microscopía, patentada por el CSIC en el 2017 con el nombre de “direct piezoelectric force microscopy” (DPFM) y es la primera vez que se usa.
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Se observa la capacitancia negativa en materiales ferroeléctricos

Se publican en Nature dos artículos que logran observar este fenómeno en sendas heteroestructuras nanométricas, a pesar de que Landau y Lifshitz (1960) predijeron que sería imposible observarla en experimentos.
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Evidencias contrastadas sobre ferroelectricidad

Manuel Souto Salom (ICMAB-CSIC, Barcelona) nos divulga la crítica que ha publicado en Nature sobre un estudio de ciertos materiales orgánicos ferroeléctricos que lideraron Samuel I. Stupp & J. Fraser Stoddart (Premio Nobel de Química 2016) de la Universidad de Northwestern y que fue publicado en 2012 en la misma revista.
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Calculan un material sintético con un punto de fusión récord (ING)

Calculan un material sintético con un punto de fusión récord (ING)

Científicos de la Universidad Brown han logrado calcular el punto de fusión de un material sintético, conformado por una combinación precisa de Hafnio, Nitrogeno y Carbón, que tendría el punto de fusión más elevado en cualquier otro material previamente estudiado. Su temperatura de fusión sería 4.400 Kelvins, que equivalen a 4.126 grados centígrados. Es tan elevada que no se derretitía ante el calor del núcleo de la Tierra y se equivaldría al 66% de la temperatura promedio de la superficie solar. En español: goo.gl/ByTTFw
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Generan información binaria mediante presión

[c&p] Un estudio liderado por científicos españoles presenta un nuevo fenómeno al que han llamado: flexoelectricidad. “Hemos descubierto una máquina de escribir a escala nanométrica: convertimos presión en información” explica a SINC Gustau Catalán, investigador del Centro de Investigaciones en Nanociencia y Nanotecnología (CIN2), y uno de los autores de este trabajo.
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Descubren propiedades ferroeléctricas en las arterias

Una nueva investigación sugiere que nuestra estructura biológica existente ya exhibe una valiosa propiedad eléctrica. Los científicos han descubierto que las arterias reaccionan con curiosidad a campos eléctricos externos, abriendo la puerta a la detección y un tratamiento mínimamente invasivo de las enfermedades del corazón. En español universitam.com/academicos/?p=16393
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El Titanio de Europio y la próxima revolución en la electrónica

El óxido de titanato de europio en rebanadas delgadas de nanómetros de espesor y físicamente tendidas en una plantilla diseñada especialmente, genera las propiedades necesarias que podrían revolucionar la industria electrónica, según una investigación dirigida por por la Universidad de Cornell. Este nuevo enfoque de ferroeléctricos ferromagnéticos podría ser un paso clave hacia el desarrollo de almacenamiento de memoria de próxima generación, excelentes sensores de campo magnético, y muchas otras aplicaciones largamente soñadas.
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Logran un récord mundial en ferroelectricidad

[c&p] Científicos de la Universidad de Tohoku (Japón) han registrado una densidad de cuatro trillones de bits por pulgada cuadrada, lo que supone un récord mundial en registros de datos de 'ferroelectricidad' experimental, "ya que supera en ocho veces la densidad más alta en transmisión magnética de discos duros". Este récord, publicado en la 'Aplied Physics Letters' por el Instituto Americano de Física, se ha realizado gracias a la recogida de datos por medio de un escáner, con un margen de error "muy pequeño", que entra en contacto...
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Añaden capacidad ferroeléctrica a los transistores: Reiniciar el ordenador será cosa del pasado (ING)

Añaden capacidad ferroeléctrica a los transistores: Reiniciar el ordenador será cosa del pasado (ING)

Científicos de la Universidades de Cornell, Penn State y Northwestern dirigidos por Darrell Schlom han usado titanato de estroncio para añadir capacidad ferroeléctrica al silicio usado en los transistores de los PCs, una hazaña que los científicos trataron de alcanzar por más de medio siglo. Los materiales ferroeléctricos, usados actualmente en "tarjetas inteligentes", pueden eliminar el tiempo de arranque y reinicio de los SO, proporcionando un "encendido instantáneo", así como prevenir pérdidas de datos por los cortes de energía.
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Almacenamiento eléctrico en polímeros de alta eficacia

C&P un equipo de expertos en materiales de la Universidad Estatal de Pensilvania está desarrollando condensadores basados en polímeros ferroeléctricos que pueden suministrar la energía con mayor rapidez y que son mucho más livianos que los dispositivos convencionales.
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Galio, Indio, Selenio, Hafnio… ¡Adiós!

C&P Metales raros como el galio y el indio, imprescindibles para fabricar las pantallas planas, podrían agotarse hacia el 2017. Otros elementos igualmente importantes, como el selenio o el hafnio también pueden correr la misma suerte. La razón: exceso de demanda, simple y llanamente.
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Sobreexplotación de metales básicos pone en entredicho la sociedad tecnológica

Algunos metales raros, usados como componentes importantes en dispositivos de alta tecnología, como teléfonos móviles, semiconductores, pantallas planas y paneles solares, podrían agotarse muy pronto. Los suministros de Indio y de Hafnio podrían quedar exhaustos en el año 2017, y los de zinc en el 2037. Mientras, en la basura electrónica de las calles de todo el mundo se pueden encontrar toneladas de platino, uno de los metales más raros y caros del mundo. Cabe preguntarse si realmente tiene sentido tanto desperdicio tecnológico.
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El hafnio: la alternativa elegida por IBM para su nuevo proceso de fabricación de microprocesadores

IBM -en colaboración con las empresas Sony, Toshiba y Advanced Micro Devices- se ha apresurado a anunciar la introducción de cambios sustanciales en su proceso de fabricación de microprocesadores, aunque su alternativa, también basada en el hafnio, no estará en el mercado hasta principios de 2008. El objetivo: abaratar y acelerar el salto de la barrera de los 45 nanómetros.
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