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Samsung creará SSD con memorias NAND Flash de 1.000 capas

Samsung creará SSD con memorias NAND Flash de 1.000 capas

Que los coreanos van a dominar las próximas dos décadas en NAND Flash y DRAM ni cotiza en estos momentos. Son los reyes, controlan prácticamente todo el mercado con permiso de Micron y EE.UU. y si nada falla, en el VLSI 2024 presentarán uno de los mayores avances en este campo. Y es que Samsung podrá crear un SSD con NAND Flash de 1.000 capas para acercarse al sueño del Petabyte de capacidad gracias a lo que denominan como ferroeléctricos de Hafnia.
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Descubren que las perovskitas de haluro de plomo no son ferroeléctricas

Científicos del Instituto de Ciencias de Materiales de Barcelona (ICMAB-CESIC) han descubierto que las perovskitas de haluro de plomo, un material que auguran muy prometedor para hacer celdas solares, no son ferroeléctricas, como se creía hasta ahora. Los investigadores del ICMAB-CSIC y del Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie (Alemania) han hecho esta demostración con una nueva técnica de microscopía, patentada por el CSIC en el 2017 con el nombre de “direct piezoelectric force microscopy” (DPFM) y es la primera vez que se usa.
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Se observa la capacitancia negativa en materiales ferroeléctricos

Se publican en Nature dos artículos que logran observar este fenómeno en sendas heteroestructuras nanométricas, a pesar de que Landau y Lifshitz (1960) predijeron que sería imposible observarla en experimentos.
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Evidencias contrastadas sobre ferroelectricidad

Manuel Souto Salom (ICMAB-CSIC, Barcelona) nos divulga la crítica que ha publicado en Nature sobre un estudio de ciertos materiales orgánicos ferroeléctricos que lideraron Samuel I. Stupp & J. Fraser Stoddart (Premio Nobel de Química 2016) de la Universidad de Northwestern y que fue publicado en 2012 en la misma revista.

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