La "Ley de Moore", según la cual la capacidad de los chips se duplica aproximadamente cada dos años, se acerca a su límite: pronto no será posible hacer transistores más pequeños. Una nueva carrera más allá de esta ley persigue añadir nuevas funcionalidades a los chips integrando materiales inteligentes sobre su base de silicio. Investigadores del Grupo ICN2 Nanoelectrónica de Óxidos han encabezado una colaboración internacional que ha conseguido crear el primer sistema microelectromecánico (MEMS) flexoeléctrico integrado en silicio.