Intel, Samsung, TSMC y otros están sentando las bases para la transición de los transistores finFET actuales a los nuevos transistores de efecto de campo de puerta completa (GAA FET) en los nodos de 3 nm y 2 nm, a partir del próximo año o en 2023. GAA FET cumplen la promesa de un mejor rendimiento, menor potencia y menores fugas, y se necesitarán por debajo de 3 nm, cuando los finFET se agoten. Pero a pesar de que estos transistores de última generación se consideran un paso evolutivo de los finFET, y han estado en I + D durante años

“Cuando empezamos, la privacidad no era algo de dominio público. Ahora sí es un tema candente, pero en 2016 era otra cosa. Era algo de frikis”, comentan Sofía y Santiago por videollamada. Antes de IUVIA, Prósper y Saavedra fundaron una asociación llamada Tráckula, que nació para un proyecto con MediaLab Prado con el que representaron visualmente el rastro de datos que dejamos al visitar una página web. Al finalizar el proyecto desarrollaron una extensión para el navegador para visualizar lo que sale de la actividad en línea y así sucesivamente.

IBM ha construido un nuevo laboratorio de química llamado RoboRXN en la nube. Combina modelos de inteligencia artificial, una plataforma de computación en la nube y robots para ayudar a los científicos a diseñar y sintetizar nuevas moléculas mientras trabajan desde casa. Tradicionalmente, los nuevos medicamentos y materiales requieren un promedio de 10 años y $ 10 millones para descubrirlos y comercializarlos. Gran parte de ese tiempo se dedica a la laboriosa repetición de experimentos para sintetizar nuevos compuestos y aprender de ensayo y er