Los chips desarrollados por los físicos de Quinas tienen una latencia diez veces menor que la de las memorias DRAM y duran 4.000 veces más que los circuitos integrados NAND Flash

Puede definirse como “una memoria no volátil con el potencial de lograr un almacenamiento de electrones rápido y de energía ultrabaja”. Es capaz de combinar la no volatilidad de la memoria de almacenamiento de datos tradicional a la par que mantiene la velocidad y resistencia de la RAM, lo que quiere decir que podría implementarse como una memoria universal en un futuro.